在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7Y21-40EX | NXP SEMICONDUCTORS/恩智浦 | 336 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| BUK7Y21-40EX | NEXPERIA/安世 | N-channel 40 V 21 mOhm | 0 | 1500 | 中国内地：30周 中国香港：30周 |
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| BUK7Y21-40EX-CN | CHIPNOBO/无边界 | 0 | 1500 | 中国内地：4-8工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 617pF @ 25V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 在线目录 | N-Channel MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 类型 | N 通道 |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 33A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 21 毫欧 @ 10A，10V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| 连续漏极电流Id | 33 A |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 技术 | Si |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 封装 | LFPAK56-5 |
| 漏源导通电阻 | 17.8 mOhms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| Vgs th-栅源极阈值电 | 3 V |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 包装 | Cut Tape, Reel |
| 表面贴装 | YES |
| 配置 | SINGLEWITHBUILT-INDIODE |
| 端子数量 | 4 |
| 最小漏源击穿电压 | 40V |
| 元件数量 | 1 |
| 最大漏极电流 (ID) | 33A |
| 最大漏源导通电阻 | 21mΩ |
| 其他特性 | AVALANCHERATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 12mJ |
| FET 技术 | METAL-OXIDESEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENTMODE |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 132A |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| JEDEC-95代码 | MO-235 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 参考标准 | AEC-Q101;IEC-60134 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SMALLOUTLINE,R-PSSO-G4 |
| 针数 | 4 |
| 制造商包装代码 | SOT669 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| 针脚数 | 4Pins |
| 合规 | - |
| 晶体管安装 | 表面安装 |
| MSL | MSL 1 -无限制 |
| 通道类型 | N通道 |
| 工作温度最高值 | 175°C |
| 阈值栅源电压最大值 | 3V |
| 晶体管封装类型 | SOT-669 |
| Rds(on)测试电压 | 10V |
| 漏源电压, Vds | 40V |
| 产品范围 | - |
| 电流, Id 连续 | 33A |
| 漏源接通状态电阻 | 0.0178ohm |
| 功率耗散 | 45W |
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 19578 | 0.226320 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.003158 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 15.237090 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.942107 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.850444 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2006 | 16.857746 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.950894 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 249 | 1.628400 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
