在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BV1LB150FJ-CE2 | ROHM/罗姆 | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| Input Characteristics | STANDARD |
| Output Characteristics | OPEN-DRAIN |
| Driver Number of Bits | 1 |
| Turn-off Time | 80µs |
| Turn-on Time | 80µs |
| Number of Functions | 1 |
| Output Current Flow Direction | SINK |
| Output Current-Max | 6.5A |
| Output Polarity | INVERTED |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 3V |
| Surface Mount | YES |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Screening Level | AEC-Q100 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | LSOP |
| Package Equivalence Code | SOP8,.25 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE,LOWPROFILE |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 4.9mm |
| Seated Height-Max | 1.65mm |
| Width | 3.9mm |
| Ihs Manufacturer | ROHMCOLTD |
| Package Description | LSOP,SOP8,.25 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | ROHMSemiconductor |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 5V |
| 输入特性 | STANDARD |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN |
| 驱动器位数 | 1 |
| 断开时间 | 80µs |
| 接通时间 | 80µs |
| 功能数量 | 1 |
| 输出电流流向 | SINK |
| 最大输出电流 | 6.5A |
| 输出极性 | INVERTED |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 3V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 筛选级别 | AEC-Q100 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE,LOWPROFILE |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 4.9mm |
| 座面最大高度 | 1.65mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 包装说明 | LSOP,SOP8,.25 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| MSL | MSL 1 -无限制 |
| 热保护 | 是 |
| 开/使能输入极性 | - |
| 电源负载开关类型 | 低压侧 |
| 工作温度最高值 | 150°C |
| 输出数 | 1输出 |
| 工作温度最小值 | -40°C |
| 通电阻 | 0.15ohm |
| 输入电压 | 5.5V |
| 合规 | AEC-Q100 |
| 针脚数 | 8引脚 |
| 电流极限 | 10A |
| IC 外壳 / 封装 | SOP-J |
| 产品范围 | - |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87252 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29185 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 21674 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9169 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 6747 | 0.400625 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.471625 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
