在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX84W-B7V5X | NEXPERIA/安世 | BZX84W series - Voltage regulator diodes | 0 | 1 | 中国内地：3周 中国香港：14-16工作日 |
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| BZX84W-B7V5X-CN | CHIPNOBO/无边界 | 0 | 3000 | 中国内地：4-8工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Forward (Drive) Current | 10mA |
| Working Voltage-Nom | 7.5V |
| Forward Voltage | 0.9V |
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | -55°C to +150°C |
| Capacitance | 150pF |
| 封装类型 | SOT-323 (SC-70) |
| Power Dissipation | 275mW |
| No of Terminals | 3 |
| Configuration | Single |
| Impedance | 6Ω |
| Reverse Current-Max | 1µA |
| Voltage Temperature Coefficient | 4mV/K |
| Voltage Tolerance | 2% |
| 供应商器件封装 | SC-70 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 功率 - 最大值 | 275mW |
| 不同 If 时的电压 - 正向（Vf | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 1µA @ 5V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 容差 | ±2% |
| 系列 | 汽车级，AEC-Q101 |
| 在线目录 | BZX84W Series |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） | 7.5V |
| 阻抗（最大值）（Zzt） | 15 Ohms |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 合规 | AEC-Q101 |
| 二极管安装 | 表面安装 |
| 工作温度最高值 | 150°C |
| 额定齐纳电压 | 7.5V |
| 二极管封装类型 | SOT-323 |
| 产品范围 | BZX84W |
| 功率耗散 | 275mW |
| 针脚数 | 3引脚 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| L78M05CDT-TR | STMICROELECTRONICS | 529 | 0.939843 |
| L7805CV | STMICROELECTRONICS | 485 | 0.819672 |
| TLS202B1MBV50HTSA1 | INFINEON | 465 | 4.576707 |
| MAX1615EUK+T | MAXIM | 372 | 4.279170 |
| HT7533-1 | 国芯佳品 | 360 | 0.147620 |
| TLT807B0EPVXUMA1 | INFINEON | 105 | 12.090120 |
| TLS115B0LDXUMA1 | INFINEON | 27 | 10.484880 |
| TLE4275GV33ATMA1 | INFINEON | 5 | 12.936000 |
| LTM4645IY#PBF | LINEAR | 2 | 748.000000 |
| IFX1117ME V33 | INFINEON | 1 | 1.988910 |
