在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DA7219-02VBA | RENESAS/瑞萨 | 20 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
查看价格 | |
DA7219-02VBA | DIALOG/戴乐格 | DA7219 02VBA | 0 | 4500 | 中国内地:5-8工作日 中国香港:4-6工作日 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 32-WLCSP(4.5x1.64) |
封装/外壳 | 32-UFBGA,WLCSP |
类型 | 音频 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
数据接口 | I²C |
工作温度 | -25°C ~ 85°C |
电压 - 电源,数字 | 1.7V ~ 3.6V |
分辨率(位) | 24 b |
在线目录 | Audio CODECs |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
ADC/DAC 数 | 1 / 2 |
信噪比,ADC/DAC(db)(典型值) | 90 / 100 |
包装 | 剪切带(CT) |
包装 | Digi-Reel® |
封装 | UFBGA-32 |
接口类型 | I2C |
产品 | Audio CODECs |
最小工作温度 | - 25 C |
最大工作温度 | + 85 C |
分辨率 | 24 bit |
包装 | Reel |
生命周期 | Transferred |
封装代码 | VFBGA |
商用集成电路类型 | CONSUMERCIRCUIT |
功能数量 | 1 |
最大供电电压 (Vsup) | 2.5V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7V |
温度等级 | OTHER |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B32 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -25°C |
端子数量 | 32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
表面贴装 | YES |
端子形式 | BALL |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 1.64mm |
长度 | 4.5mm |
座面最大高度 | 539µm |
包装说明 | VFBGA, |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74AHCT541PW | NEXPERIA | 46458 | 0.863760 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19657 | 0.239120 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 16891 | 1.246875 |
74HC4050D | NEXPERIA | 6380 | 0.891820 |
74LVC1G04GV,125 | NEXPERIA | 5494 | 0.367250 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1924 | 0.362625 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 667 | 0.145140 |
74HC02D | NEXPERIA | 168 | 0.391140 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.187500 |