在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DAC5573IPWR | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | D/A CONVERTER, 1 FUNC, SERIAL INPUT LOADING, 12US SETTLING TIME, PDSO16 | 240100 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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DAC5573IPW | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | 数模转换器- DAC 8-Bit Quad w/I2C Int erface A 595-DAC5573IPWR | 25 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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DAC5573IPWR | TI/德州仪器 | 8-Bit Quad w/I2C Interface | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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规格参数 | |
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在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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M54123LG-S08-R | UTC | 22855 | 0.435420 |
DG411DY-T1-E3 | VISHAY | 22500 | 4.155861 |
STMPS2141STR | STM | 12000 | 1.445517 |
DG449DS-T1-E3 | VISHAY | 12000 | 5.691722 |
BU4S66G2-TR | ROHM | 3000 | 0.919581 |
M54133AG-S16-R | 友顺(UTC) | 2519 | 6.357813 |
4052G-P16-R | 友顺(UTC) | 876 | 1.429375 |
RS2118YUTQK10 | 润石 | 40 | 1.925000 |
RS2105XN | 润石 | 20 | 2.691000 |
RS2227XUTQK10 | 润石 | 20 | 1.750000 |