在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DG1411EEN-T1-GE4 | VISHAY/威世 | Quad SPST QFN 4x4mm | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
---|---|
封装 | QFN-16 |
电源电压-最大 | 24 V |
电源电压-最小 | 4.5 V |
空闲时间—最大值 | 120 ns |
运行时间—最大值 | 260 ns |
导通电阻(最小值) | 4.4 Ohms |
最小双重电源电压 | +/- 4.5 V |
系列 | DG |
最大双重电源电压 | +/- 15 V |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
包装 | Reel, Cut Tape |
Part Life Cycle Code | Active |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
Surface Mount | YES |
Neg Supply Voltage-Nom (Vsup) | -5V |
On-state Resistance-Max (Ron) | 3.3Ω |
On-state Resistance Match-Nom | 40mΩ |
Switch-on Time-Max | 440ns |
Switch-off Time-Max | 280ns |
Analog IC - Other Type | SPST |
Technology | CMOS |
Input Voltage-Max | 16.5V |
Input Voltage-Min | -16.5V |
Neg Supply Voltage-Max (Vsup) | -16.5V |
Neg Supply Voltage-Min (Vsup) | -4.5V |
Normal Position | NC |
Number of Channels | 1 |
Number of Functions | 4 |
Off-state Isolation-Nom | 78dB |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 16.5V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.5V |
Switching | BREAK-BEFORE-MAKE |
Temperature Grade | AUTOMOTIVE |
JESD-30 Code | S-XQCC-N16 |
Operating Temperature-Max | 125°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Number of Terminals | 16 |
Package Body Material | UNSPECIFIED |
Package Code | HVQCCN |
Package Equivalence Code | LCC16,.16SQ,25 |
Package Shape | SQUARE |
Terminal Form | NOLEAD |
Terminal Pitch | 650µm |
Terminal Position | QUAD |
Length | 4mm |
Seated Height-Max | 950µm |
Width | 4mm |
Ihs Manufacturer | VISHAYINTERTECHNOLOGYINC |
Package Description | HVQCCN,LCC16,.16SQ,25 |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
Samacsys Manufacturer | Vishay |
标称供电电压 (Vsup) | 5V |
表面贴装 | YES |
标称负供电电压 (Vsup) | -5V |
最大通态电阻 (Ron) | 3.3Ω |
通态电阻匹配规范 | 40mΩ |
最长接通时间 | 440ns |
最长断开时间 | 280ns |
模拟集成电路 - 其他类型 | SPST |
技术 | CMOS |
最大输入电压 | 16.5V |
最小输入电压 | -16.5V |
负电源电压最大值(Vsup) | -16.5V |
负电源电压最小值(Vsup) | -4.5V |
正常位置 | NC |
信道数量 | 1 |
功能数量 | 4 |
标称断态隔离度 | 78dB |
最大供电电压 (Vsup) | 16.5V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
JESD-30 代码 | S-XQCC-N16 |
最高工作温度 | 125°C |
最低工作温度 | -40°C |
端子数量 | 16 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | HVQCCN |
封装等效代码 | LCC16,.16SQ,25 |
封装形状 | SQUARE |
端子形式 | NOLEAD |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | QUAD |
长度 | 4mm |
座面最大高度 | 950µm |
宽度 | 4mm |
包装说明 | HVQCCN,LCC16,.16SQ,25 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
合规 | - |
电源类型 | 单&双电源 |
芯片安装 | 表面安装 |
工作温度最高值 | 125°C |
工作温度最小值 | -40°C |
通道数 | 4放大器 |
针脚数 | 16Pins |
IC 外壳 / 封装 | QFN-EP |
开关配置 | SPST - NC |
多路复用器/解复用器配置 | - |
接口 | - |
芯片功能 | 模拟开关 |
电源电压范围 | 4.5V至24V, ±4.5V至±15V |
产品范围 | - |
通态电阻最大值 | 1.8ohm |
导通电阻典型值 | 1.5ohm |
导通电阻最大值 | 1.8ohm |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74HC4053D,653 | NEXPERIA | 4668 | 0.759402 |
BTA41-800BRG | STM | 3180 | 18.210528 |
BTS4140N | INFINEON | 2502 | 7.436240 |
74HC4053PW,118 | NEXPERIA | 2451 | 1.270375 |
74HCT4052D,118 | NEXPERIA | 1779 | 1.362225 |
74HC4051BQ,115 | NEXPERIA | 1648 | 1.371819 |
74HC4066PW,118 | NEXPERIA | 980 | 1.935897 |
MAX4649EKA+T | MAXIM | 50 | 11.525360 |
XDPS21071XUMA1 | INFINEON | 44 | 13.720000 |
ISL69127IRAZ | RENESAS | 3 | 58.447200 |