在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DG300ACWE+ | MAXIM/美信 | DG300 TTL Compatible CMOS Analog Switch | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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DG300ACWE+ | MXM | 0 | 46 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 16-SOIC |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
电压 - 电源,双(V±) | ±5V ~ 18V |
电荷注入 | 12pC |
串扰 | -74dB @ 500kHz |
开关电路 | SPST - 常开 |
多路复用器/解复用器电路 | 1:01:00AM |
开关时间(Ton, Tof)(最大值) | 300ns,250ns |
沟道电容 (CS(off),CD(off)) | 14pF,14pF |
电流 - 漏泄(IS(off))(最大值) | 5nA |
零件状态 | 在售 |
基本零件编号 | DG300A |
电路数 | 2 |
工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
导通电阻(最大值) | 50 欧姆 |
在线目录 | Analog Switches, Multiplexers, Demultiplexers |
包装 | 管件 |
封装 | SOIC-Wide-16 |
电源电压-最大 | 30 V |
电源电压-最小 | 10 V |
空闲时间—最大值 | 250 ns |
运行时间—最大值 | 300 ns |
导通电阻(最小值) | 50 Ohms |
最小双重电源电压 | +/- 5 V |
最大双重电源电压 | +/- 18 V |
最大工作温度 | + 70 C |
最小工作温度 | 0 C |
包装 | Tube |
Part Life Cycle Code | Transferred |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 15V |
Surface Mount | YES |
Neg Supply Voltage-Nom (Vsup) | -15V |
On-state Resistance-Max (Ron) | 50Ω |
Switch-on Time-Max | 300ns |
Switch-off Time-Max | 250ns |
Analog IC - Other Type | SPST |
Technology | CMOS |
Neg Supply Voltage-Max (Vsup) | -18V |
Neg Supply Voltage-Min (Vsup) | -5V |
Normal Position | NC |
Number of Channels | 1 |
Number of Functions | 2 |
Off-state Isolation-Nom | 62dB |
Output | SEPARATEOUTPUT |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 18V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 5V |
Switching | BREAK-BEFORE-MAKE |
Temperature Grade | COMMERCIAL |
JESD-30 Code | R-PDSO-G16 |
Qualification Status | NotQualified |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Operating Temperature-Max | 70°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Terminals | 16 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | SOP |
Package Equivalence Code | SOP16,.4 |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALLOUTLINE |
Terminal Finish | MATTETIN |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 1.27mm |
Terminal Position | DUAL |
Length | 10.3mm |
Seated Height-Max | 2.65mm |
Width | 7.5mm |
Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
Part Package Code | SOIC |
Package Description | SOP,SOP16,.4 |
Pin Count | 16 |
Reach Compliance Code | compliant |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
ECCN Code | EAR99 |
生命周期 | Transferred |
标称供电电压 (Vsup) | 15V |
表面贴装 | YES |
标称负供电电压 (Vsup) | -15V |
最大通态电阻 (Ron) | 50Ω |
电源 | +-15V |
最长接通时间 | 300ns |
最长断开时间 | 250ns |
模拟集成电路 - 其他类型 | SPST |
技术 | CMOS |
负电源电压最大值(Vsup) | -18V |
负电源电压最小值(Vsup) | -5V |
正常位置 | NC |
信道数量 | 1 |
功能数量 | 2 |
标称断态隔离度 | 62dB |
输出 | SEPARATEOUTPUT |
最大供电电压 (Vsup) | 18V |
最小供电电压 (Vsup) | 5V |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
温度等级 | COMMERCIAL |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 70°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP16,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 10.3mm |
座面最大高度 | 2.65mm |
宽度 | 7.5mm |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP,SOP16,.4 |
针数 | 16 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
---|---|---|---|
74HC4053D,653 | NEXPERIA | 4668 | 0.759402 |
BTA41-800BRG | STM | 3180 | 18.210528 |
BTS4140N | INFINEON | 2502 | 7.436240 |
74HC4053PW,118 | NEXPERIA | 2451 | 1.270375 |
74HCT4052D,118 | NEXPERIA | 1779 | 1.362225 |
74HC4051BQ,115 | NEXPERIA | 1648 | 1.371819 |
74HC4066PW,118 | NEXPERIA | 980 | 1.935897 |
MAX4649EKA+T | MAXIM | 50 | 11.525360 |
XDPS21071XUMA1 | INFINEON | 44 | 13.720000 |
ISL69127IRAZ | RENESAS | 3 | 58.447200 |