在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DG406CWI+T | MAXIM/美信 | 43 | 1 | 中国内地：3-5工作日 |
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| DG406CWI | MAXIM/美信 | DG406 Improved, 16-Channel, CMOS Analog Multiplexer | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| DG406CWI+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 25 | 中国内地：6-8周 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | 0°C to 70°C |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| 封装类型 | SOIC-28W |
| Power Dissipation | 1W |
| Type | Multiplexer |
| No of Channels | 16 |
| Storage Temperature Range | -65°C to +150°C |
| Supply Voltage | 5V to 30V |
| Supply Current | 75µA |
| Configuration | 1 x 161 |
| ON Resistance | 60Ω |
| 封装 | SOIC-16 Wide |
| 电源电压-最大 | 30 V |
| 电源电压-最小 | 5 V |
| 空闲时间—最大值 | 300 ns |
| 运行时间—最大值 | 600 ns |
| 导通电阻（最小值） | 175 Ohms |
| 系列 | DG406 |
| 最大双重电源电压 | +/- 20 V |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | Transferred |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15V |
| 表面贴装 | YES |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15V |
| 最大通态电阻 (Ron) | 100Ω |
| 通态电阻匹配规范 | 1.5Ω |
| 电源 | 12/+-15V |
| 最长接通时间 | 400ns |
| 最长断开时间 | 300ns |
| 最大信号电流 | 20mA |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SINGLE-ENDEDMULTIPLEXER |
| 技术 | CMOS |
| 负电源电压最大值（Vsup） | -20V |
| 负电源电压最小值（Vsup） | -4.5V |
| 信道数量 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 标称断态隔离度 | 69dB |
| 最大供电电压 (Vsup) | 20V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 28 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP28,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 17.9mm |
| 座面最大高度 | 2.65mm |
| 宽度 | 7.5mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP,SOP28,.4 |
| 针数 | 28 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HC4053D,653 | NEXPERIA | 4668 | 0.759402 |
| BTA41-800BRG | STM | 3180 | 18.277056 |
| BTS4140N | INFINEON | 2502 | 7.436240 |
| 74HC4053PW,118 | NEXPERIA | 2451 | 1.270375 |
| 74HCT4052D,118 | NEXPERIA | 1779 | 1.362225 |
| 74HC4051BQ,115 | NEXPERIA | 1648 | 1.371819 |
| 74HC4066PW,118 | NEXPERIA | 980 | 1.935897 |
| MAX4649EKA+T | MAXIM | 50 | 11.525360 |
| XDPS21071XUMA1 | INFINEON | 44 | 13.720000 |
| ISL69127IRAZ | RENESAS | 3 | 58.447200 |
