在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DG409EUE+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 96 | 中国内地:3-5周 |
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DG409EUE+_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 96 | 中国内地:3-5周 |
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MXMDG409EUEPLUST | MAXIM/美信 | 0 | 2500 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 16-TSSOP |
封装/外壳 | 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
电压 - 电源,单(V+) | 5V ~ 30V |
电压 - 电源,双(V±) | ±5V ~ 20V |
电荷注入 | 2pC |
串扰 | -92dB @ 100kHz |
开关电路 | SP4T |
多路复用器/解复用器电路 | 4:1 |
通道至通道匹配(ΔRon) | 1.5 欧姆 |
开关时间(Ton, Tof)(最大值) | 150ns,150ns |
沟道电容 (CS(off),CD(off)) | 3pF,14pF |
电流 - 漏泄(IS(off))(最大值) | 500pA |
零件状态 | 停產 |
电路数 | 2 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
导通电阻(最大值) | 100 欧姆 |
包装 | 管件 |
Part Life Cycle Code | Obsolete |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 15V |
Surface Mount | YES |
Neg Supply Voltage-Nom (Vsup) | -15V |
On-state Resistance-Max (Ron) | 100Ω |
On-state Resistance Match-Nom | 1.5Ω |
Power Supplies | 12/+-15V |
Switch-on Time-Max | 225ns |
Switch-off Time-Max | 300ns |
Signal Current-Max | 30mA |
Analog IC - Other Type | DIFFERENTIALMULTIPLEXER |
Technology | CMOS |
Neg Supply Voltage-Max (Vsup) | -20V |
Neg Supply Voltage-Min (Vsup) | -5V |
Number of Channels | 4 |
Number of Functions | 2 |
Off-state Isolation-Nom | 75dB |
Supply Current-Max (Isup) | 2mA |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 20V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 5V |
Switching | BREAK-BEFORE-MAKE |
Temperature Grade | INDUSTRIAL |
JESD-30 Code | R-PDSO-G16 |
Qualification Status | NotQualified |
JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 20 |
Number of Terminals | 16 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | TSSOP |
Package Equivalence Code | TSSOP16,.25 |
Package Shape | RECTANGULAR |
Terminal Finish | TINLEAD |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 650µm |
Terminal Position | DUAL |
Length | 5mm |
Seated Height-Max | 1.1mm |
Width | 4.4mm |
Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
Package Description | TSSOP,TSSOP16,.25 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
Part Package Code | TSSOP |
Pin Count | 16 |
ECCN Code | EAR99 |
生命周期 | Obsolete |
标称供电电压 (Vsup) | 15V |
表面贴装 | YES |
标称负供电电压 (Vsup) | -15V |
最大通态电阻 (Ron) | 100Ω |
通态电阻匹配规范 | 1.5Ω |
电源 | 12/+-15V |
最长接通时间 | 225ns |
最长断开时间 | 300ns |
最大信号电流 | 30mA |
模拟集成电路 - 其他类型 | DIFFERENTIALMULTIPLEXER |
技术 | CMOS |
负电源电压最大值(Vsup) | -20V |
负电源电压最小值(Vsup) | -5V |
信道数量 | 4 |
功能数量 | 2 |
标称断态隔离度 | 75dB |
最大供电电流 (Isup) | 2mA |
最大供电电压 (Vsup) | 20V |
最小供电电压 (Vsup) | 5V |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
端子数量 | 16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP16,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
端子面层 | TINLEAD |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 5mm |
座面最大高度 | 1.1mm |
宽度 | 4.4mm |
零件包装代码 | TSSOP |
包装说明 | TSSOP,TSSOP16,.25 |
针数 | 16 |
是否符合REACH标准 | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
---|---|---|---|
74HC4053D,653 | NEXPERIA | 4668 | 0.759402 |
BTA41-800BRG | STM | 3180 | 18.210528 |
BTS4140N | INFINEON | 2502 | 7.436240 |
74HC4053PW,118 | NEXPERIA | 2451 | 1.270375 |
74HCT4052D,118 | NEXPERIA | 1779 | 1.362225 |
74HC4051BQ,115 | NEXPERIA | 1648 | 1.371819 |
74HC4066PW,118 | NEXPERIA | 980 | 1.935897 |
MAX4649EKA+T | MAXIM | 50 | 11.525360 |
XDPS21071XUMA1 | INFINEON | 44 | 13.720000 |
ISL69127IRAZ | RENESAS | 3 | 58.447200 |