在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DG411DVZ-T | RENESAS/瑞萨 | IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP | 2349 | 2500 盘 | 中国内地:1-2工作日 |
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DG411DVZ-T | INTERSIL/英特矽尔 | 0 | 2500 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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ITSDG411DVZT | INTERSIL/英特矽尔 | 0 | 2500 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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规格参数 | |
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标称供电电压 (Vsup) | 15V |
表面贴装 | YES |
标称负供电电压 (Vsup) | -15V |
最大通态电阻 (Ron) | 35Ω |
最长接通时间 | 175ns |
最长断开时间 | 145ns |
模拟集成电路 - 其他类型 | SPST |
技术 | CMOS |
负电源电压最大值(Vsup) | -20V |
负电源电压最小值(Vsup) | -5V |
信道数量 | 1 |
功能数量 | 4 |
标称断态隔离度 | 68dB |
最大供电电压 (Vsup) | 20V |
最小供电电压 (Vsup) | 5V |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 5mm |
座面最大高度 | 1.2mm |
宽度 | 4.4mm |
零件包装代码 | TSSOP |
包装说明 | TSSOP-16 |
针数 | 16 |
制造商包装代码 | M16.173 |
是否符合REACH标准 | compliant |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74HCT4052PW,118 | NEXPERIA | 6272 | 1.160874 |
74HCT4051PW,118 | NEXPERIA | 3060 | 1.398250 |
AS179-92LF | SKYWORKS | 2737 | 2.049180 |
74LVC1G3157GV,125 | NEXPERIA | 1812 | 0.624750 |
SKY66112-11 | SKYWORKS | 879 | 14.406000 |
MCP4716A0T-E/CH | MICROCHIP | 93 | 5.785920 |
STMPS2141STR | STMICROELECTRONICS | 39 | 8.725920 |
MCP4822-E/SN | MICROCHIP | 20 | 34.073520 |
MCP4725A0T-E/CH | MICROCHIP | 1 | 8.643600 |
MAX5137GUE+ | MAXIM | 1 | 32.692800 |