在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DG411DY-T1-E3 | VISHAY/威世 | 22500 | 2500 包 | 中国内地：8-16工作日 中国香港：9-18工作日 |
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| DG411DY-T1-E3 | VISHAY/威世 | 22500 | 2500 卷 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：9-11工作日 |
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| DG411DY-T1-E3 | VISHAY/威世 | 150 | 2500 | 中国内地：2-3工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 15V |
| Surface Mount | YES |
| Neg Supply Voltage-Nom (Vsup) | -15V |
| On-state Resistance-Max (Ron) | 45Ω |
| On-state Resistance Match-Nom | 3Ω |
| Power Supplies | 5,12/+-15V |
| Switch-on Time-Max | 175ns |
| Switch-off Time-Max | 145ns |
| Analog IC - Other Type | SPST |
| Technology | CMOS |
| Neg Supply Voltage-Max (Vsup) | -20V |
| Neg Supply Voltage-Min (Vsup) | -4.5V |
| Normal Position | NC |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Functions | 4 |
| Off-state Isolation-Nom | 68dB |
| Output | SEPARATEOUTPUT |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 20V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.5V |
| Switching | BREAK-BEFORE-MAKE |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G16 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 20 |
| Number of Terminals | 16 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Equivalence Code | SOP16,.25 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 9.9mm |
| Seated Height-Max | 1.75mm |
| Width | 3.9mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | SOIC |
| Package Description | SOP,SOP16,.25 |
| Pin Count | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15V |
| 表面贴装 | YES |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15V |
| 最大通态电阻 (Ron) | 45Ω |
| 通态电阻匹配规范 | 3Ω |
| 电源 | 5,12/+-15V |
| 最长接通时间 | 175ns |
| 最长断开时间 | 145ns |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST |
| 技术 | CMOS |
| 负电源电压最大值（Vsup） | -20V |
| 负电源电压最小值（Vsup） | -4.5V |
| 正常位置 | NC |
| 信道数量 | 1 |
| 功能数量 | 4 |
| 标称断态隔离度 | 68dB |
| 输出 | SEPARATEOUTPUT |
| 最大供电电压 (Vsup) | 20V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP16,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | Tin/Lead(Sn85Pb15) |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 9.9mm |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP,SOP16,.25 |
| 针数 | 16 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HCT4052PW,118 | NEXPERIA | 6272 | 1.160874 |
| 74HCT4051PW,118 | NEXPERIA | 3060 | 1.398250 |
| AS179-92LF | SKYWORKS | 2737 | 2.049180 |
| 74LVC1G3157GV,125 | NEXPERIA | 1812 | 0.624750 |
| SKY66112-11 | SKYWORKS | 879 | 14.406000 |
| MCP4716A0T-E/CH | MICROCHIP | 93 | 5.785920 |
| STMPS2141STR | STMICROELECTRONICS | 39 | 8.725920 |
| MCP4822-E/SN | MICROCHIP | 20 | 34.073520 |
| MCP4725A0T-E/CH | MICROCHIP | 1 | 8.643600 |
| MAX5137GUE+ | MAXIM | 1 | 32.692800 |
