在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DG425DJ | MAXIM/美信 | DG425 Improved Low-Power, CMOS Analog Switches With Latches | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 15V |
| Surface Mount | NO |
| Neg Supply Voltage-Nom (Vsup) | -15V |
| On-state Resistance-Max (Ron) | 45Ω |
| On-state Resistance Match-Nom | 3Ω |
| Power Supplies | 5,+-15V |
| Switch-on Time-Max | 250ns |
| Switch-off Time-Max | 200ns |
| Analog IC - Other Type | DPST |
| Technology | CMOS |
| Neg Supply Voltage-Max (Vsup) | -20V |
| Neg Supply Voltage-Min (Vsup) | -4.5V |
| Normal Position | NO |
| Number of Channels | 2 |
| Number of Functions | 2 |
| Off-state Isolation-Nom | 72dB |
| Output | SEPARATEOUTPUT |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 20V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.5V |
| Switching | BREAK-BEFORE-MAKE |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T16 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 16 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | DIP |
| Package Equivalence Code | DIP16,.3 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 19.175mm |
| Seated Height-Max | 4.572mm |
| Width | 7.62mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Package Description | 0.300INCH,PLASTIC,DIP-16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Part Package Code | DIP |
| Pin Count | 16 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15V |
| 表面贴装 | NO |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15V |
| 最大通态电阻 (Ron) | 45Ω |
| 通态电阻匹配规范 | 3Ω |
| 电源 | 5,+-15V |
| 最长接通时间 | 250ns |
| 最长断开时间 | 200ns |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | DPST |
| 技术 | CMOS |
| 负电源电压最大值（Vsup） | -20V |
| 负电源电压最小值（Vsup） | -4.5V |
| 正常位置 | NO |
| 信道数量 | 2 |
| 功能数量 | 2 |
| 标称断态隔离度 | 72dB |
| 输出 | SEPARATEOUTPUT |
| 最大供电电压 (Vsup) | 20V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 19.175mm |
| 座面最大高度 | 4.572mm |
| 宽度 | 7.62mm |
| 包装说明 | 0.300INCH,PLASTIC,DIP-16 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 针数 | 16 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HC4053D,653 | NEXPERIA | 4668 | 0.759402 |
| BTA41-800BRG | STM | 3180 | 18.210528 |
| BTS4140N | INFINEON | 2502 | 7.436240 |
| 74HC4053PW,118 | NEXPERIA | 2451 | 1.270375 |
| 74HCT4052D,118 | NEXPERIA | 1779 | 1.362225 |
| 74HC4051BQ,115 | NEXPERIA | 1648 | 1.371819 |
| 74HC4066PW,118 | NEXPERIA | 980 | 1.935897 |
| MAX4649EKA+T | MAXIM | 50 | 11.525360 |
| XDPS21071XUMA1 | INFINEON | 44 | 13.720000 |
| ISL69127IRAZ | RENESAS | 3 | 58.447200 |
