在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DG611EEY-T1-GE4 | VISHAY/威世 | Quad SPST 1.4pC 16-pin narrow SOIC | 0 | 2500 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | SOIC-16 |
| 电源电压-最大 | 21 V |
| 电源电压-最小 | 4 V |
| 空闲时间—最大值 | 50 ns |
| 运行时间—最大值 | 75 ns |
| 导通电阻（最小值） | 160 Ohms |
| 最小双重电源电压 | - 10 V, 5 V |
| 最大双重电源电压 | 0 V, 21 V |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 包装 | Reel, Cut Tape |
| 表面贴装 | YES |
| 最大通态电阻 (Ron) | 115Ω |
| 通态电阻匹配规范 | 2.5Ω |
| 最长接通时间 | 75ns |
| 最长断开时间 | 50ns |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST |
| 负电源电压最大值（Vsup） | -5.5V |
| 负电源电压最小值（Vsup） | -5V |
| 信道数量 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3V |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子位置 | DUAL |
| 包装说明 | SOP, |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HC4053D,653 | NEXPERIA | 4643 | 0.759402 |
| BTA41-800BRG | STM | 3180 | 14.549606 |
| BTS4140N | INFINEON | 2502 | 6.027000 |
| 74HC4053PW,118 | NEXPERIA | 2451 | 1.270375 |
| 74HCT4052D,118 | NEXPERIA | 1779 | 1.362225 |
| 74HC4051BQ,115 | NEXPERIA | 1648 | 1.371819 |
| 74HC4066PW,118 | NEXPERIA | 980 | 1.935897 |
| MAX4649EKA+T | MAXIM | 50 | 11.525360 |
| XDPS21071XUMA1 | INFINEON | 44 | 13.720000 |
| ISL69127IRAZ | RENESAS | 3 | 58.447200 |
