在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DGD0280WT-7 | DIODES/美台 | 45000 | 3000 | 中国内地:10-11周 |
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DGD0280WT-7 | DIODES/美台 | 0 | 3000 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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规格参数 | |
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最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
电源电压-最小 | 4.5 V |
电源电压-最大 | 18 V |
输出电流 | 2.8 A |
类型 | Low Side |
下降时间 | 20 ns |
配置 | Non-Inverting |
产品 | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
安装风格 | SMD/SMT |
生命周期 | Active |
标称供电电压 | 12V |
输入特性 | STANDARD |
输出特性 | PUSH-PULL |
断开时间 | 50ns |
接通时间 | 50ns |
接口集成电路类型 | BUFFERORINVERTERBASEDMOSFETDRIVER |
高边驱动器 | NO |
功能数量 | 1 |
最大供电电压 | 18V |
最小供电电压 | 4.5V |
表面贴装 | YES |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G5 |
JESD-609代码 | e3 |
最高工作温度 | 125°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
端子数量 | 5 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VSSOP |
封装等效代码 | TSOP5/6,.11,37 |
封装形状 | RECTANGULAR |
端子面层 | MatteTin(Sn) |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 950µm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 2.9mm |
座面最大高度 | 1mm |
宽度 | 1.6mm |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
包装说明 | VSSOP,TSOP5/6,.11,37 |
交付时间 | [objectObject] |
电源开关类型 | IGBT, MOSFET |
输入类型 | - |
栅极驱动器类型 | - |
芯片安装 | 表面安装 |
合规 | - |
驱动配置 | 低压侧 |
产品范围 | - |
IC 外壳 / 封装 | TSOT-25 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.091506 |
ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 3486 | 11.203136 |
BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 27.315200 |
ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.455532 |
ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 517 | 46.375490 |
IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.561024 |