在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DGD21904MS14-13 | DIODES/美台 | 37500 | 2500 | 中国内地:10-11周 |
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DGD21904MS14-13 | DIODES/美台 | 0 | 2500 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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DIIDGD21904MS1413 | DIODES/美台 | 0 | 2500 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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规格参数 | |
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高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V |
供应商器件封装 | 14-SO |
封装/外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
上升/下降时间(典型值) | 25ns,20ns |
通道类型 | 独立式 |
湿气敏感性等级(MSL) | * |
驱动配置 | 半桥 |
驱动器数 | 2 |
栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 4.5A,4.5A |
零件状态 | 在售 |
工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) |
电压 - 电源 | 10V ~ 20V |
输入类型 | 非反相 |
安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 带卷(TR) |
Part Life Cycle Code | Active |
Supply Voltage-Nom | 15V |
Output Peak Current Limit-Nom | 4.5A |
Turn-off Time | 200ns |
Turn-on Time | 200ns |
Interface IC Type | HALFBRIDGEBASEDMOSFETDRIVER |
High Side Driver | YES |
Number of Functions | 1 |
Supply Voltage-Max | 20V |
Supply Voltage-Min | 10V |
Surface Mount | YES |
Temperature Grade | AUTOMOTIVE |
JESD-30 Code | R-PDSO-G14 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 3 |
Operating Temperature-Max | 125°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Number of Terminals | 14 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | SOP |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALLOUTLINE |
Terminal Finish | MATTETIN |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 1.27mm |
Terminal Position | DUAL |
Length | 8.61mm |
Seated Height-Max | 1.73mm |
Width | 3.94mm |
Ihs Manufacturer | DIODESINC |
Package Description | SOP-14 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
Date Of Intro | 2017-06-12 |
生命周期 | Active |
标称供电电压 | 15V |
标称输出峰值电流 | 4.5A |
断开时间 | 200ns |
接通时间 | 200ns |
接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDMOSFETDRIVER |
高边驱动器 | YES |
功能数量 | 1 |
最大供电电压 | 20V |
最小供电电压 | 10V |
表面贴装 | YES |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 3 |
最高工作温度 | 125°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
端子数量 | 14 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 8.61mm |
座面最大高度 | 1.73mm |
宽度 | 3.94mm |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
包装说明 | SOP-14 |
交付时间 | [objectObject] |
工作温度最高值 | 125°C |
工作温度最小值 | -40°C |
驱动器封装类型 | SOIC |
灌电流 | 4.5A |
输入延迟 | 140ns |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.091506 |
ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 3486 | 11.203136 |
BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 27.315200 |
ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.455532 |
ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 517 | 46.375490 |
IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.561024 |