在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DM74S08N | FAIRCHILD/仙童 | AND Gate, S Series, 4-Func, 2-Input, TTL, PDIP14 | 3800 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Propagation Delay (tpd) | 11ns |
| Prop. Delay@Nom-Sup | 11ns |
| Number of Functions | 4 |
| Number of Inputs | 2 |
| Surface Mount | NO |
| Package Code | DIP |
| Schmitt Trigger | NO |
| Family | S |
| Logic IC Type | ANDGATE |
| Technology | TTL |
| Max I(ol) | 20mA |
| Power Supplies | 5V |
| Power Supply Current-Max (ICC) | 57mA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.25V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.75V |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T14 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Number of Terminals | 14 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Equivalence Code | DIP14,.3 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 5.08mm |
| Width | 7.62mm |
| Length | 19.18mm |
| Ihs Manufacturer | FAIRCHILDSEMICONDUCTORCORP |
| Part Package Code | DIP |
| Package Description | DIP,DIP14,.3 |
| Pin Count | 14 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Source Content uid | DM74S08N |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 传播延迟（tpd） | 11ns |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 11ns |
| 功能数量 | 4 |
| 输入次数 | 2 |
| 表面贴装 | NO |
| 封装代码 | DIP |
| 施密特触发器 | NO |
| 系列 | S |
| 逻辑集成电路类型 | ANDGATE |
| 技术 | TTL |
| 最大I（ol） | 20A |
| 电源 | 5V |
| 最大电源电流（ICC） | 57mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75V |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T14 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 端子数量 | 14 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 5.08mm |
| 宽度 | 7.62mm |
| 长度 | 19.18mm |
| 包装说明 | DIP,DIP14,.3 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 针数 | 14 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 38035 | 0.925980 |
| 74HC14D | NEXPERIA | 36890 | 0.402210 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 23866 | 0.239120 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 22541 | 1.264125 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 1448 | 1.314520 |
| 74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |
