在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN6022SSD-13-CN | CHIPNOBO/无边界 | 0 | 2500 | 中国内地：4-8工作日 |
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| DMN6022SSD-13 | DIODES/美台 | 0 | 2500 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 系列 | 汽车级，AEC-Q101 |
| 功率 - 最大值 | 1.2W（Ta） |
| 在线目录 | N-Channel Standard FETs |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6A（Ta），14A（Tc） |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2110pF @ 30V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 29 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 32nC @ 10V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| FET 功能 | 标准 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 生命周期 | Active |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES |
| 配置 | SEPARATE,2ELEMENTSWITHBUILT-INDIODE |
| 端子数量 | 8 |
| 最小漏源击穿电压 | 60V |
| 元件数量 | 2 |
| 最大漏极电流 (ID) | 6A |
| 最大漏源导通电阻 | 34mΩ |
| 雪崩能效等级（Eas） | 24mJ |
| 最大反馈电容 (Crss) | 51pF |
| FET 技术 | METAL-OXIDESEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENTMODE |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.5W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 45A |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 参考标准 | MIL-STD-202 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 150°C |
| 最低工作温度 | -55°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | MatteTin(Sn) |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子位置 | DUAL |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 晶体管安装 | 表面安装 |
| 汽车质量标准 | - |
| 工作温度最高值 | 150°C |
| 漏源电压Vds N沟道 | 60V |
| 耗散功率P沟道 | 1.5W |
| Rds(on)测试电压 | 10V |
| 漏源电压Vds P沟道 | 60V |
| 耗散功率N沟道 | 1.5W |
| 漏源电压, Vds | 60V |
| 阈值栅源电压最大值 | 3V |
| 针脚数 | 8Pins |
| 功耗 Pd | 1.5W |
| 晶体管极性 | N沟道 |
| 漏源通态电阻N沟道 | 0.02ohm |
| 漏源导通电阻P沟道 | 0.02ohm |
| 在电阻RDS（上） | 0.02ohm |
| 电流, Id 连续 | 14A |
| 连续漏极电流 Id N沟道 | 14A |
| 连续漏极电流 Id P沟道 | 14A |
| 合规 | - |
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87293 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29251 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 25007 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.469500 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2556 | 0.619190 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1016 | 0.805090 |
| TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 520 | 0.692120 |
