在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMNH4015SSDQ-13 | DIODES/美台 | BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K | 0 | 2500 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 功率 - 最大值 | 1.4W，2W |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 8.6A（Ta） |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1938pF @ 15V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 15 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33nC @ 10V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| FET 功能 | 标准 |
| 零件状态 | Digi-Key 停产 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87293 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29251 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 25007 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.469500 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2556 | 0.619190 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1016 | 0.805090 |
| TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 520 | 0.692120 |
