在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP1096UCB4-7 | DIODES/美台 | BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K | 0 | 0 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| DIIDMP1096UCB47 | DIODES/美台 | 0 | 3000 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 功率耗散（最大值） | 820mW（Ta） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 供应商器件封装 | U-WLB1010-4 |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，WLBGA |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| Vgs（最大值） | -5V |
| 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.7nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 251pF @ 6V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 在线目录 | P-Channel MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 类型 | P 通道 |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 2.6A（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 102 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 封装 | U-WLB1010-4 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| 连续漏极电流Id | 2.6 A |
| Pd-功率耗散 | 820 mW |
| 通道模式 | Enhancement |
| 技术 | Si |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 5 V |
| 漏源导通电阻 | 102 mOhms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| Qg-栅极电荷 | 3.7 nC |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 包装 | Cut Tape, Reel |
| 生命周期 | Obsolete |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES |
| 配置 | SINGLEWITHBUILT-INDIODEANDRESISTOR |
| 端子数量 | 4 |
| 最小漏源击穿电压 | 12V |
| 元件数量 | 1 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2.6A |
| 最大漏极电流 (ID) | 2.4A |
| 最大漏源导通电阻 | 152mΩ |
| 其他特性 | HIGHRELIABILITY |
| FET 技术 | METAL-OXIDESEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENTMODE |
| 最大功率耗散 (Abs) | 820mW |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B4 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 150°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRIDARRAY |
| 端子面层 | TINSILVERCOPPER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 包装说明 | GRIDARRAY,S-PBGA-B4 |
| 针数 | 4 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 零件包装代码 | CSP |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 22657 | 0.226320 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 10.856245 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2646 | 15.421266 |
| SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.628400 |
| VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |
| SZ1SMB24AT3G | LITTELFUSE | 7 | 2.410800 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
