在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 频率 | 2.4GHz |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 调制 | FHSS，FSK |
| 射频系列/标准 | 通用 ISM > 1GHZ |
| 串行接口 | SPI，UART |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 3.3V ~ 5.5V |
| 功率 - 输出 | 18dBm |
| 数据速率 | 500kbps |
| 灵敏度 | -100dBm |
| 在线目录 | DNT24 Series |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 电流 - 接收 | 15mA ~ 55mA |
| 电流 - 传输 | 140mA（最小值） |
| 天线类型 | 不含天线，U.FL |
| 生命周期 | Active |
| 电信集成电路类型 | TELECOMCIRCUIT |
| 功能数量 | 1 |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N30 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 30 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONICASSEMBLY |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 24.9mm |
| 长度 | 38.1mm |
| 包装说明 | , |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.477108 |
| HCTF21601 | AMPHENOL | 8355 | 1.369625 |
| HCTF12001 | AMPHENOL | 7451 | 1.470000 |
| AC-CP000382 | AMPHENOL | 287 | 0.232044 |
| ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
| ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
| TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
| TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
| KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |
| ADE-2+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 45.864000 |
