在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DPG30C200HB | IXYS/艾赛斯 | 30 Amps 200V | 12 | 1 | 中国内地:10-13工作日 中国香港:8-11工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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Forward Voltage | 1.25V |
安装方式 | Through Hole |
Reverse Voltage-Max [Vrrm] | 200V |
Reverse Current-Max | 1µA |
Average Rectified Current-Max | 15A |
Reverse Recovery Time-Max | 35ns |
封装 | TO-247AD-3 |
If - 正向电流 | 15 A |
安装风格 | Through Hole |
系列 | DPG30C200 |
产品 | Switching Diodes |
最大浪涌电流 | 240 A |
Ir - 反向电流 | 0.08 mA |
配置 | Dual |
最小工作温度 | - 55 C |
峰值反向电压 | 200 V |
最大工作温度 | + 150 C |
Vf - 正向电压 | 1 V |
恢复时间 | 35 ns |
包装 | Tube |
生命周期 | Transferred |
最大输出电流 | 15A |
最大正向电压 (VF) | 1V |
最大反向恢复时间 | 35ns |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIERDIODE |
配置 | COMMONCATHODE,2ELEMENTS |
表面贴装 | NO |
最大重复峰值反向电压 | 200V |
元件数量 | 2 |
应用 | FASTSOFTRECOVERY |
最大非重复峰值正向电流 | 150A |
相数 | 1 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JEDEC-95代码 | TO-247AD |
最高工作温度 | 175°C |
最低工作温度 | -55°C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
外壳连接 | CATHODE |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGEMOUNT |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.80 |
零件包装代码 | TO-247AD |
包装说明 | ROHSCOMPLIANT,PLASTICPACKAGE-3 |
针数 | 3 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 22657 | 0.226320 |
78B08T | GRAYHILL | 8048 | 10.856245 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
43650-0510 | MOLEX | 2646 | 15.421266 |
SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.628400 |
VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |
SZ1SMB24AT3G | LITTELFUSE | 7 | 2.410800 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |