在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DPX205850DT-4155A1 | TDK/东电化 | 0 | 100 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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封装/外壳 | 0805(2012 公制),6 PC 板 |
类型 | 双工器 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
系列 | DPX |
在线目录 | DPX Series Multilayer Diplexers |
频带(低/高) | 700MHz ~ 1.99GHz / 2.4GHz ~ 5.85GHz |
高频带衰减(最小/最大 dB) | 15.00dB / 21.00dB |
回波损耗(低频带/高频带) | 9.54dB / 9.54dB |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
包装 | 剪切带(CT) |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | SURFACEMOUNT |
插入损耗(发送) | 1dB |
插入损耗(接收) | 1dB |
发送中心频率 | 4.125GHz |
接收中心频率 | 4.125GHz |
滤波器类型 | DUPLEXER |
其他特性 | CENTERFREQTX/RX:1345MHZ |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
高度 | 900µm |
长度 | 2mm |
宽度 | 1.25mm |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.477108 |
HCTF21601 | AMPHENOL | 8355 | 1.369625 |
HCTF12001 | AMPHENOL | 7451 | 1.470000 |
M24LR16E-RDW6T/2 | STM | 4000 | 5.833971 |
AC-CP000382 | AMPHENOL | 287 | 0.232044 |
ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |