在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DRDNB21D-7 | DIODES/美台 | 3778 | 3000 盘 | 中国内地：1-2工作日 |
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| DIIDRDNB21D7 | DIODES/美台 | 0 | 3000 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 不需要 |
| 电流 - 输出（最大值） | 100mA |
| 比率 - 输入:输出 | 1：1 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 接口 | 开/关 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DRDNB21 |
| 开关类型 | 通用 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 输出配置 | 低端 |
| 输出类型 | 双极性 |
| 系列 | 汽车级，AEC-Q101 |
| 在线目录 | General Purpose |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 电压 - 负载 | 50V（最大） |
| 输出数 | 2 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| MSL | MSL 1 -无限制 |
| 汽车质量标准 | - |
| 数字晶体管极性 | 双路 NPN |
| 集电极连续电流 | 100mA |
| 基极输入电阻 R1 | 2.2kohm |
| 合规 | - |
| 集电极发射极电压最大值NPN | 50V |
| 直流电流增益hFE最小值 | 80hFE |
| 工作温度最高值 | 150°C |
| 集电极发射极电压最大值 PNP | - |
| 基极-发射极电阻R2 | 47kohm |
| 集电极发射电压, Vceo | 50V |
| 电阻比 R1/R2 | - |
| 功率耗散 | 200mW |
| 连续集电极电流 | 100mA |
| 射频晶体管封装 | SOT-363 |
| 引脚数 | 6引脚 |
| 晶体管安装 | 表面安装 |
| 晶体管极性 | 双NPN |
| 晶体管封装类型 | SOT-363 |
| 产品范围 | TUK SGACK902S Keystone Coupler |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.101861 |
| ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 4250 | 10.981201 |
| BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 28.892710 |
| ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
| IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.472641 |
| ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 558 | 37.382660 |
| IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
| IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
| IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
| IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.831168 |
