在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 8-SOIC |
频率 | 10kHz |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
类型 | 可编程计时器 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | DS1050 |
电流 - 电源 | 50µA |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
电压 - 电源 | 2.7V ~ 5.5V |
在线目录 | Programmable Timers and Oscillators |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
包装 | 剪切带(CT) |
包装 | Digi-Reel® |
生命周期 | Transferred |
标称供电电压 (Vsup) | 3V |
表面贴装 | YES |
电源 | 2.5/5.5V |
模拟集成电路 - 其他类型 | ANALOGCIRCUIT |
技术 | CMOS |
功能数量 | 1 |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7V |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 4.9mm |
座面最大高度 | 1.75mm |
宽度 | 3.9mm |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP,SOP8,.25 |
针数 | 8 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87293 | 0.497250 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29251 | 0.324720 |
TL494G-S16-R | UTC | 25007 | 0.617320 |
TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.469500 |
TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2556 | 0.619190 |
TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1016 | 0.805090 |
TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 520 | 0.692120 |