在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS1050Z-025+TR | MAXIM/美信 | DS1050 5-Bit, Programmable, 5Khz, Pulse Width Modulator | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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封装 | SOIC-Narrow-8 |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
包装 | Reel, Cut Tape |
生命周期 | Transferred |
标称供电电压 (Vsup) | 3V |
表面贴装 | YES |
电源 | 3/5V |
模拟集成电路 - 其他类型 | ANALOGCIRCUIT |
技术 | CMOS |
功能数量 | 1 |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7V |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 4.9mm |
座面最大高度 | 1.75mm |
宽度 | 3.9mm |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP,SOP8,.25 |
针数 | 8 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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LD39200DPUR | STM | 4500 | 2.423342 |
L78M05CDT-TR | STMICROELECTRONICS | 529 | 0.939843 |
L7805CV | STMICROELECTRONICS | 487 | 0.819672 |
TLS202B1MBV50HTSA1 | INFINEON | 465 | 5.785920 |
MAX1615EUK+T | MAXIM | 372 | 4.279170 |
TLT807B0EPVXUMA1 | INFINEON | 105 | 12.090120 |
TLS115B0LDXUMA1 | INFINEON | 27 | 10.484880 |
TLE4275GV33ATMA1 | INFINEON | 5 | 12.936000 |
LTM4645IY#PBF | LINEAR | 2 | 748.000000 |
IFX1117ME V33 | INFINEON | 1 | 1.988910 |