在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS1080LU+A00 | MAXIM/美信 | DS1080 Spread-Spectrum Crystal Multiplier | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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比率 - 输入:输出 | 1:1 |
差分 - 输入:输出 | 无/无 |
供应商器件封装 | 8-uMAX |
PLL | 是 |
分频器/倍频器 | 无/是 |
频率 - 最大值 | 134MHz |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
类型 | 晶体乘法器,扩展频谱时钟发生器 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 停產 |
输入 | 时钟,晶体 |
基本零件编号 | DS1080 |
电路数 | 1 |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
电压 - 电源 | 3V ~ 3.6V |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 管件 |
输出 | LVCMOS |
生命周期 | Obsolete |
主时钟/晶体标称频率 | 33.4MHz |
最大输出时钟频率 | 134MHz |
表面贴装 | YES |
标称供电电压 | 3.3V |
uPs/uCs/外围集成电路类型 | CLOCKGENERATOR,OTHER |
技术 | CMOS |
电源 | 3.3V |
最大压摆率 | 13mA |
最大供电电压 | 3.6V |
最小供电电压 | 3V |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 125°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP8,.19 |
封装形状 | SQUARE |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | DUAL |
座面最大高度 | 1.1mm |
宽度 | 3mm |
长度 | 3mm |
包装说明 | TSSOP,TSSOP8,.19 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74AHCT541PW | NEXPERIA | 38035 | 0.925980 |
74HC14D | NEXPERIA | 36890 | 0.402210 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 23866 | 0.239120 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 22541 | 1.264125 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
74HC4050D | NEXPERIA | 1448 | 1.314520 |
74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |