在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS1086Z+ | MAXIM/美信 | 10 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
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DS1086Z-11D+ | MAXIM/美信 | DS1086 Spread-Spectrum Econoscillator | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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DS1086Z-450+ | MAXIM/美信 | DS1086 Spread-Spectrum Econoscillator | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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规格参数 | |
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比率 - 输入:输出 | 1:1 |
差分 - 输入:输出 | 无/无 |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
PLL | 无 |
分频器/倍频器 | 是/无 |
频率 - 最大值 | 133MHz |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
类型 | 扩展频谱时钟发生器 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
输入 | 时钟 |
基本零件编号 | DS1086 |
电路数 | 1 |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
电压 - 电源 | 4.75V ~ 5.25V |
系列 | EconOscillator™ |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 管件 |
输出 | 时钟 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 22657 | 0.226320 |
78B08T | GRAYHILL | 8048 | 10.856245 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 21.018614 |
VIPER12ASTR-E | STM | 5000 | 2.010476 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
43650-0510 | MOLEX | 2646 | 15.421266 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.976287 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.628400 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |