在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1100LZ-60+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 100 | 中国内地：3-5周 |
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| DS1100LZ-60+_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 100 | 中国内地：3-5周 |
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| DS1100LZ-60 | MAXIM/美信 | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| 封装类型 | SOIC-8 |
| No of Channels | 1 |
| Supply Voltage-Max | 3.6V |
| Storage Temperature Range | -55°C to +125°C |
| Low Level Output Current | 8mA |
| Supply Current | 10mA |
| High Level Output Current | -1mA |
| 功能 | 不可编程 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DS1100L |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 3V ~ 3.6V |
| 抽头/步数 | 5 |
| 延迟到第一抽头 | 12ns |
| 独立延迟数 | 1 |
| 可用总延迟 | 60ns |
| 抽头增量 | 12ns |
| 在线目录 | DS1100 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 封装 | SOIC-8 |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 功能 | Active Tapped Delay Line |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3V |
| Prop. Delay@Nom-Sup | 60ns |
| Total Delay-Nom (td) | 60ns |
| Number of Functions | 1 |
| Surface Mount | YES |
| Package Code | SOP |
| Output Impedance-Nom (Z0) | 50Ω |
| Family | 1100 |
| Logic IC Type | SILICONDELAYLINE |
| Technology | CMOS |
| Output Polarity | TRUE |
| Power Supplies | 3.3V |
| Programmable Delay Line | NO |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 3V |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Taps/Steps | 5 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Equivalence Code | SOP8,.25 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.75mm |
| Width | 3.9mm |
| Length | 4.9mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | SOIC |
| Package Description | SOP,SOP8,.25 |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| ECCN Code | EAR99 |
| 生命周期 | Transferred |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 60ns |
| 总延迟标称（td） | 60ns |
| 功能数量 | 1 |
| 表面贴装 | YES |
| 封装代码 | SOP |
| 输出阻抗标称值（Z0） | 50Ω |
| 系列 | 1100 |
| 逻辑集成电路类型 | SILICONDELAYLINE |
| 技术 | CMOS |
| 输出极性 | TRUE |
| 电源 | 3.3V |
| 可编程延迟线 | NO |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 抽头/阶步数 | 5 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP,SOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DS1302Z+T&R | MAXIM | 287 | 12.073600 |
| 74HC4046AD,653 | NEXPERIA | 130 | 1.606872 |
| DS1339U-33+T&R | MAXIM | 95 | 12.983040 |
| CY2304SXI-1 | CYPRESS | 26 | 15.288000 |
| DS3231MZ+TRL | MAXIM | 23 | 58.207756 |
| CY2308SXI-2 | CYPRESS | 20 | 43.276800 |
| DS12C887+ | MAXIM | 15 | 98.527616 |
| DS3231SN#T&R | MAXIM | 11 | 18.500520 |
| CY2308ZXC-1HT | CYPRESS | 10 | 10.976000 |
| CY2305SXI-1T | CYPRESS | 2 | 38.808000 |
