在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1220AD-120+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 14 | 中国内地：6-8周 |
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| DS1220AD-120+_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 14 | 中国内地：6-8周 |
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| DLSDS1220AD120PLUS | MAXIM/美信 | 0 | 14 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装类型 | DIP-24 |
| 供应商器件封装 | 24-EDIP |
| 存储容量 | 16Kb （2K x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 24-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 120ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 基本零件编号 | DS1220A |
| 访问时间 | 120ns |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 4.5V ~ 5.5V |
| 技术 | NVSRAM（非易失性 SRAM） |
| 在线目录 | NVSRAM |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| 存储器格式 | NVSRAM |
| 封装 | EDIP-24 |
| 接口类型 | Parallel |
| 组织 | 2 k x 8 |
| 访问时间 | 120 ns |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 存储容量 | 16 kbit |
| 工作电源电流 | 75 mA |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 16.384kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 2KX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 电源 | 5V |
| 最长访问时间 | 120ns |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILESRAMMODULE |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 2000 |
| 字数 | 2.048k |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 最大待机电流 | 10mA |
| 最大压摆率 | 75µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-P24 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 端子数量 | 24 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONICASSEMBLY |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 零件包装代码 | DMA |
| 包装说明 | DIP,DIP24,.6 |
| 针数 | 24 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8473.30.11.40 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
