在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
0
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1230AB-200 | MAXIM/美信 | DS1230 3.3 Volt, 256 K Nonvolatile SRAM | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
查看价格 |
| DS1230AB-200+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 12 | 中国内地：5-6周 |
查看价格 | |
| DS1230AB-200IND | MAXIM/美信 | DS1230 3.3 Volt, 256 K Nonvolatile SRAM | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| Operating Temp Range | 0°C to 70°C |
| Supply Voltage-Nom | 4.75V to 5.25V |
| Interface | Parallel |
| Storage Temperature Range | -40°C to +85°C |
| Temperature Grade | Commercial |
| Memory Density | 256kb |
| Memory Organization | 32 K x 8 |
| Access Time-Max | 200ns |
| 供应商器件封装 | 28-EDIP |
| 存储容量 | 256Kb （32K x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 200ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 基本零件编号 | DS1230AB |
| 访问时间 | 200ns |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 4.75V ~ 5.25V |
| 技术 | NVSRAM（非易失性 SRAM） |
| 在线目录 | NVSRAM |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| 存储器格式 | NVSRAM |
| 封装 | EDIP-28 |
| 接口类型 | Parallel |
| 组织 | 32 k x 8 |
| 访问时间 | 200 ns |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 存储容量 | 256 kbit |
| 工作电源电流 | 85 mA |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 电源电压-最小 | 4.75 V |
| 电源电压-最大 | 5.25 V |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 262.144kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 32KX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 电源 | 5V |
| 最长访问时间 | 200ns |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILESRAMMODULE |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 32000 |
| 字数 | 32.768k |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 最大待机电流 | 600µA |
| 最大压摆率 | 85µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-P28 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 端子数量 | 28 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONICASSEMBLY |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 零件包装代码 | MODULE |
| 包装说明 | DIP,DIP28,.6 |
| 针数 | 28 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8473.30.11.40 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示，今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下，存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一，结合头部厂商最新财报来深度分析，未来存储行业趋势将有何变化？景气市况能否持续？
据知情人士透露，美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证，允许其向中东大规模运送人工智能（AI）加速器，同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分，利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点，头部ODM厂商业绩有哪些最新看点？
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
