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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
DS1230W-100+ ANALOG DEVICES/亚德诺 0 12 中国内地:5-6周
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DS1230W-100IND+ ANALOG DEVICES/亚德诺 0 12 中国内地:5-6周
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DLSDS1230W100PLUS MAXIM/美信 0 12 中国内地:10-12工作日
中国香港:8-10工作日
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规格参数
封装 EDIP-28
电源电压-最大 3.6 V
系列 DS1230W
接口类型 Parallel
电源电压-最小 3 V
最小工作温度 0 C
组织 32 k x 8
访问时间 100 ns
数据总线宽度 8 bit
存储容量 256 kbit
最大工作温度 + 70 C
工作电源电流 50 mA
包装 Tube
生命周期 Transferred
内存密度 2.0972Mbit
内存宽度 8
组织 256KX8
标称供电电压 (Vsup) 3.3V
电源 3.3V
最长访问时间 100ns
内存集成电路类型 NON-VOLATILESRAMMODULE
其他特性 10YEARDATARETENTION
功能数量 1
字数代码 256000
字数 262.144k
工作模式 ASYNCHRONOUS
并行/串行 PARALLEL
最大待机电流 250µA
最大压摆率 50µA
最大供电电压 (Vsup) 3.6V
最小供电电压 (Vsup) 3V
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
JESD-30 代码 R-PDIP-T28
认证状态 NotQualified
JESD-609代码 e3
最高工作温度 70°C
端子数量 28
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
表面贴装 NO
端子面层 MATTETIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54mm
端子位置 DUAL
座面最大高度 10.668mm
长度 38.225mm
宽度 15.24mm
零件包装代码 DIP
包装说明 DIP,DIP28,.6
针数 28
是否符合REACH标准 not_compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8473.30.11.40
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