在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1230YP-100+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 40 | 中国内地：5-6周 |
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| DS1230YP-100 | MAXIM/美信 | DS1230 3.3 Volt, 256 K Nonvolatile SRAM | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 34-PowerCap 模块 |
| 存储容量 | 256Kb （32K x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 34-PowerCap™ 模块 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 停產 |
| 写周期时间 - 字，页 | 100ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 基本零件编号 | DS1230Y |
| 访问时间 | 100ns |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 4.5V ~ 5.5V |
| 技术 | NVSRAM（非易失性 SRAM） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 存储器格式 | NVSRAM |
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Memory Density | 262.144kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 32KX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Power Supplies | 5V |
| Access Time-Max | 100ns |
| Memory IC Type | NON-VOLATILESRAMMODULE |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 32000 |
| Number of Words | 32.768k |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Parallel/Serial | PARALLEL |
| Standby Current-Max | 5mA |
| Supply Current-Max | 85µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.5V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| JESD-30 Code | R-XDMA-U34 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Number of Terminals | 34 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Equivalence Code | MODULE,34LEAD,1.0 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | MICROELECTRONICASSEMBLY |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | JINVERTED |
| Terminal Position | DUAL |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | DMA |
| Package Description | POWERCAPMODULE-34 |
| Pin Count | 34 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.41 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| 1843606 | PHOENIX | 256 | 1.928640 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
