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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
DS1245W-150+ ANALOG DEVICES/亚德诺 0 11 中国内地:5-6周
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规格参数
安装方式 Through Hole
Operating Temp Range 0°C to 70°C
Supply Voltage-Nom 3V to 3.6V
Interface Parallel
Storage Temperature Range -55°C to +125°C
Temperature Grade Commercial
Memory Density 1Mb
Memory Organization 128 K x 8
Access Time-Max 150ns
封装 EDIP-32
电源电压-最大 5.25 V
系列 DS1245W
接口类型 Parallel
电源电压-最小 4.75 V
最小工作温度 0 C
组织 128 k x 8
访问时间 70 ns
数据总线宽度 8 bit
存储容量 1 Mbit
最大工作温度 + 70 C
工作电源电流 85 mA
包装 Tube
生命周期 Transferred
内存密度 1.0486Mbit
内存宽度 8
组织 128KX8
标称供电电压 (Vsup) 3.3V
电源 3.3V
最长访问时间 150ns
内存集成电路类型 NON-VOLATILESRAMMODULE
其他特性 10YEARDATARETENTION
功能数量 1
字数代码 128000
字数 131.072k
工作模式 ASYNCHRONOUS
并行/串行 PARALLEL
最大待机电流 250µA
最大压摆率 50µA
最大供电电压 (Vsup) 3.6V
最小供电电压 (Vsup) 3V
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
JESD-30 代码 R-XDMA-P32
认证状态 NotQualified
JESD-609代码 e3
最高工作温度 70°C
端子数量 32
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONICASSEMBLY
表面贴装 NO
端子面层 MATTETIN
端子形式 PIN/PEG
端子节距 2.54mm
端子位置 DUAL
零件包装代码 MODULE
包装说明 DIP,DIP32,.6
针数 32
是否符合REACH标准 not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A
HTS代码 8473.30.11.40
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