在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS1250W-150 | DALLAS | 0 | 1 包 | 中国内地:3-7工作日 |
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DS1250W-150 | DALLAS SEMICONDUCTOR | 0 | 1 袋 | 中国内地:1-2工作日 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 32-EDIP |
存储容量 | 4Mb (512K x 8) |
存储器类型 | 非易失 |
封装/外壳 | 32-DIP 模块(0.600",15.24mm) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
写周期时间 - 字,页 | 150ns |
存储器接口 | 并联 |
基本零件编号 | DS1250W |
访问时间 | 150ns |
工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
电压 - 电源 | 3V ~ 3.6V |
技术 | NVSRAM(非易失性 SRAM) |
安装类型 | 通孔 |
包装 | 管件 |
存储器格式 | NVSRAM |
封装 | EDIP-32 |
电源电压-最大 | 3.6 V |
系列 | DS1250W |
接口类型 | Parallel |
电源电压-最小 | 3 V |
最小工作温度 | 0 C |
组织 | 512 k x 8 |
访问时间 | 150 ns |
数据总线宽度 | 8 bit |
存储容量 | 4 Mbit |
最大工作温度 | + 70 C |
工作电源电流 | 50 mA |
包装 | Tube |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
1843606 | PHOENIX | 256 | 1.928640 |
IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |