在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 34-PowerCap 模块 |
| 存储容量 | 4Mb （512K x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 34-PowerCap™ 模块 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 100ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 基本零件编号 | DS1250W |
| 访问时间 | 100ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 3V ~ 3.6V |
| 技术 | NVSRAM（非易失性 SRAM） |
| 在线目录 | NVSRAM |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器格式 | NVSRAM |
| 封装 | PowerCap Module-34 |
| 接口类型 | Parallel |
| 组织 | 512 k x 8 |
| 访问时间 | 100 ns |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 存储容量 | 4 Mbit |
| 工作电源电流 | 50 mA |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 包装 | Tube |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
