在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS1312S-2+T&R | MAXIM/美信 | DS1312S 2+T&R | 0 | 20000 | 中国内地:23周 中国香港:23周 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | 8-SOIC |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | DS1312 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
电压 - 电源 | 4.75V ~ 5.5V |
控制器类型 | 非易失性 RAM |
包装 | 带卷(TR) |
封装 | SOIC-8 |
电池备用开关 | Yes |
存储类型 | Nonvolatile RAM - NVRAM |
工作电源电流 | 50 uA |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
电源电压-最小 | 4.75 V |
电源电压-最大 | 5.5 V |
包装 | Reel |
生命周期 | Transferred |
标称供电电压 (Vsup) | 5V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
最大供电电流 (Isup) | 200mA |
信道数量 | 1 |
表面贴装 | YES |
可调阈值 | NO |
模拟集成电路 - 其他类型 | POWERSUPPLYSUPPORTCIRCUIT |
功能数量 | 1 |
电源 | 5V |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
认证状态 | NotQualified |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 3.9mm |
长度 | 4.9mm |
座面最大高度 | 1.75mm |
包装说明 | SOP,SOP8,.25 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.31.00.01 |
零件包装代码 | SOIC |
针数 | 8 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |