在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1314S+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 46 | 中国内地：3-5周 |
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| DS1314S+_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 46 | 中国内地：3-5周 |
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| DS1314+ | MAXIM/美信 | DS1314 3V Nonvolatile Controller With Lithium Battery Monitor | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DS1314 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 3V ~ 3.6V |
| 控制器类型 | 非易失性 RAM |
| 包装 | 管件 |
| 封装 | DIP-8 |
| 电池备用开关 | Yes |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 工作电源电流 | 30 uA |
| 存储类型 | Nonvolatile SRAM |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 3V |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6V |
| Supply Current-Max (Isup) | 140mA |
| Number of Channels | 1 |
| Surface Mount | NO |
| Adjustable Threshold | NO |
| Analog IC - Other Type | POWERSUPPLYSUPPORTCIRCUIT |
| Number of Functions | 1 |
| Power Supplies | 3.3V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T8 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | DIP |
| Package Equivalence Code | DIP8,.3 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Width | 7.62mm |
| Length | 9.375mm |
| Seated Height-Max | 4.572mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Package Description | DIP,DIP8,.3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.31.00.01 |
| Part Package Code | DIP |
| Pin Count | 8 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| 1843606 | PHOENIX | 256 | 1.928640 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
