在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1330WP-150 | MAXIM/美信 | DS1330 3.3V 256K Nonvolatile SRAM With Battery Monitor | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| DS1330WP-150+ | MAXIM/美信 | DS1330 3.3V 256K Nonvolatile SRAM With Battery Monitor | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 34-PowerCap 模块 |
| 存储容量 | 256Kb （32K x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 34-PowerCap™ 模块 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 停產 |
| 写周期时间 - 字，页 | 150ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 基本零件编号 | DS1330W |
| 访问时间 | 150ns |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 3V ~ 3.6V |
| 技术 | NVSRAM（非易失性 SRAM） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 存储器格式 | NVSRAM |
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Memory Density | 262.144kbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 32KX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3V |
| Power Supplies | 3.3V |
| Access Time-Max | 150ns |
| Memory IC Type | NON-VOLATILESRAMMODULE |
| Additional Feature | 10YEARDATARETENTION |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 32000 |
| Number of Words | 32.768k |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Parallel/Serial | PARALLEL |
| Standby Current-Max | 150µA |
| Supply Current-Max | 50µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 3V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| JESD-30 Code | R-XDMA-U34 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Number of Terminals | 34 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Equivalence Code | MODULE,34LEAD,1.0 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | MICROELECTRONICASSEMBLY |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | JINVERTED |
| Terminal Position | DUAL |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Package Description | POWERCAPMODULE-34 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8473.30.11.40 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DS1302Z+T&R | MAXIM | 287 | 12.073600 |
| 74HC4046AD,653 | NEXPERIA | 130 | 1.606872 |
| DS1339U-33+T&R | MAXIM | 95 | 12.983040 |
| CY2304SXI-1 | CYPRESS | 26 | 15.288000 |
| DS3231MZ+TRL | MAXIM | 23 | 58.207756 |
| CY2308SXI-2 | CYPRESS | 20 | 43.276800 |
| DS12C887+ | MAXIM | 15 | 98.527616 |
| DS3231SN#T&R | MAXIM | 11 | 18.500520 |
| CY2308ZXC-1HT | CYPRESS | 10 | 10.976000 |
| CY2305SXI-1T | CYPRESS | 2 | 38.808000 |
