在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1345YP-70+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 40 | 中国内地：5-6周 |
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| DS1345YP-70+ | MAXIM/美信 | 1024K NV SRAM w/Battery Monitor | 0 | 40 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| DLSDS1345YP70PLUS | MAXIM/美信 | 0 | 40 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 34-PowerCap 模块 |
| 存储容量 | 1Mb （128K x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 34-PowerCap™ 模块 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 写周期时间 - 字，页 | 70ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 基本零件编号 | DS1345Y |
| 访问时间 | 70ns |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 4.5V ~ 5.5V |
| 技术 | NVSRAM（非易失性 SRAM） |
| 在线目录 | NVSRAM |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器格式 | NVSRAM |
| 封装 | PowerCap Module-34 |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 系列 | DS1345Y |
| 接口类型 | Parallel |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 组织 | 128 k x 8 |
| 访问时间 | 70 ns |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 存储容量 | 1 Mbit |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 工作电源电流 | 85 mA |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Memory Density | 1.0486Mbit |
| Memory Width | 8 |
| Organization | 128KX8 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Access Time-Max | 70ns |
| Memory IC Type | NON-VOLATILESRAMMODULE |
| Additional Feature | 10YEARDATARETENTION |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 128000 |
| Number of Words | 131.072k |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Parallel/Serial | PARALLEL |
| Standby Current-Max | 150µA |
| Supply Current-Max | 85µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.5V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.5V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| JESD-30 Code | R-XDMA-U34 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 245 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
| Number of Terminals | 34 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Equivalence Code | MODULE,34LEAD,1.0 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | MICROELECTRONICASSEMBLY |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | JINVERTED |
| Terminal Position | DUAL |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | DMA |
| Package Description | ROHSCOMPLIANT,POWERCAPMODULE-34 |
| Pin Count | 34 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | 3A991.B.2.A |
| HTS Code | 8473.30.11.40 |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 1.0486Mbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 128KX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 电源 | 5V |
| 最长访问时间 | 70ns |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILESRAMMODULE |
| 其他特性 | 10YEARDATARETENTION |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 128000 |
| 字数 | 131.072k |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 最大待机电流 | 150µA |
| 最大压摆率 | 85µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-U34 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 端子数量 | 34 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码 | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONICASSEMBLY |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | JINVERTED |
| 端子位置 | DUAL |
| 零件包装代码 | DMA |
| 包装说明 | ROHSCOMPLIANT,POWERCAPMODULE-34 |
| 针数 | 34 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| HTS代码 | 8473.30.11.40 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| 1843606 | PHOENIX | 256 | 1.928640 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
