在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1557WP-120IND+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 40 | 中国内地：5-6周 |
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| DS1557WP-120IND | MAXIM/美信 | DS1557 4Meg, Nonvolatile, Y2K-Compliant Timekeeping Ram | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 34-PowerCap 模块 |
| 存储容量 | 512KB |
| 电压 - 电源，电池 | 3V |
| 接口 | 并联 |
| 封装/外壳 | 34-PowerCap™ 模块 |
| 电流 - 计时（最大） | 4mA @ 3.3V |
| 类型 | 时钟/日历 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 停產 |
| 基本零件编号 | DS1557 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 2.97V ~ 3.63V |
| 时间格式 | HH：MM：SS（24 小时） |
| 日期格式 | YY-MM-DD-dd |
| 特性 | 警报器，闰年，NVSRAM，监视计时器，Y2K |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 外部数据总线宽度 | 8 |
| 最大时钟频率 | 32kHz |
| 表面贴装 | YES |
| 标称供电电压 | 3.3V |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | TIMER,REALTIMECLOCK |
| 技术 | CMOS |
| 信息访问方法 | PARALLEL,DIRECTADDRESS |
| 中断能力 | Y |
| 电源 | 3.3V |
| 最大供电电压 | 3.63V |
| 最小供电电压 | 2.97V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 最短时间 | SECONDS |
| 易失性 | NO |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-U34 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 34 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码 | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONICASSEMBLY |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | JINVERTED |
| 端子位置 | DUAL |
| 包装说明 | POWERCAPMODULE-34 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8473.30.11.80 |
| 零件包装代码 | DMA |
| 针数 | 34 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| Time Format | HH:MM:SS (24 hr) |
| Date Format | YY-MM-DD-dd |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Packaging | Tube |
| Interface | Parallel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Voltage - Supply | 2.97V ~ 3.63V |
| Type | Clock/Calendar |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Package / Case | 34-PowerCap™ Module |
| Features | Alarm, Leap Year, NVSRAM, Watchdog Timer, Y2K |
| Supplier Device Package | 34-PowerCap Module |
| Memory Size | 512KB |
| Voltage - Supply, Battery | 3V |
| Current - Timekeeping (Max) | 4mA @ 3.3V |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DS1302Z+T&R | MAXIM | 287 | 12.073600 |
| 74HC4046AD,653 | NEXPERIA | 130 | 1.606872 |
| DS1339U-33+T&R | MAXIM | 95 | 12.983040 |
| CY2304SXI-1 | CYPRESS | 26 | 15.288000 |
| DS3231MZ+TRL | MAXIM | 23 | 58.207756 |
| CY2308SXI-2 | CYPRESS | 20 | 43.276800 |
| DS12C887+ | MAXIM | 15 | 98.527616 |
| DS3231SN#T&R | MAXIM | 11 | 18.500520 |
| CY2308ZXC-1HT | CYPRESS | 10 | 10.976000 |
| CY2305SXI-1T | CYPRESS | 2 | 38.808000 |
