在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS15MB200TSQ/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | IC MULTIPLEXER LVDS 4CH 48WQFN | 31554 | 250 | 中国内地:6-12工作日 |
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DS15MB200TSQ/NOPB | NATIONAL SEMICONDUCTOR/美国国家半导体 | 1759 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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DS15MB200TSQ/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS/德州仪器 | IC MULTIPLEXER LVDS 4CH 48WQFN | 1000 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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规格参数 | |
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在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74HC4053D,653 | NEXPERIA | 4668 | 0.759402 |
BTA41-800BRG | STM | 3180 | 18.277056 |
BTS4140N | INFINEON | 2502 | 7.436240 |
74HC4053PW,118 | NEXPERIA | 2451 | 1.270375 |
74HCT4052D,118 | NEXPERIA | 1779 | 1.362225 |
74HC4051BQ,115 | NEXPERIA | 1648 | 1.371819 |
74HC4066PW,118 | NEXPERIA | 980 | 1.935897 |
MAX4649EKA+T | MAXIM | 50 | 11.525360 |
XDPS21071XUMA1 | INFINEON | 44 | 13.720000 |
ISL69127IRAZ | RENESAS | 3 | 58.447200 |