在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS1624+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 50 | 中国内地:3-5周 |
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DS1624+_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 50 | 中国内地:3-5周 |
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DS1624S+TR | MAXIM/美信 | 0 | 2500 | 中国内地:11-15周 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 8-PDIP |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
测试条件 | 0°C ~ 70°C(-55°C ~ 125°C) |
精度 - 最高(最低) | ±0.5°C(±2°C) |
检测温度 - 本地 | -55°C ~ 125°C |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 停產 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
电压 - 电源 | 2.7V ~ 5.5V |
传感器类型 | 数字,本地 |
输出类型 | I²C |
特性 | 单触发,待机模式 |
分辨率 | 11 b |
安装类型 | 通孔 |
包装 | 管件 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 22657 | 0.226320 |
78B08T | GRAYHILL | 8048 | 10.856245 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 21.018614 |
VIPER12ASTR-E | STM | 5000 | 2.010476 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
43650-0510 | MOLEX | 2646 | 15.421266 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.976287 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.628400 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |