在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 24-PDIP |
| 存储容量 | 242B |
| 电压 - 电源，电池 | 2.5V ~ 3.7V |
| 接口 | 并联 |
| 封装/外壳 | 24-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 电流 - 计时（最大） | 3mA @ 5V |
| 类型 | 时钟/日历 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DS1685 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 4.5V ~ 5.5V |
| 时间格式 | HH：MM：SS（12/24 小时） |
| 日期格式 | YY-MM-DD-dd |
| 特性 | 警报器，NVSRAM，方波输出，Y2K |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 外部数据总线宽度 | 8 |
| 最大时钟频率 | 32kHz |
| 计时器数量 | 1 |
| 表面贴装 | NO |
| 标称供电电压 | 5V |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | TIMER,REALTIMECLOCK |
| 技术 | CMOS |
| 信息访问方法 | PARALLEL,MUXEDBUS |
| 中断能力 | Y |
| 电源 | 5V |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 4.5V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 最短时间 | SECONDS |
| 易失性 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T24 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 24 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 5.08mm |
| 宽度 | 15.24mm |
| 长度 | 31.75mm |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP,DIP24,.6 |
| 针数 | 24 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8473.30.11.80 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DS1302Z+T&R | MAXIM | 287 | 12.073600 |
| 74HC4046AD,653 | NEXPERIA | 130 | 1.606872 |
| DS1339U-33+T&R | MAXIM | 95 | 12.983040 |
| CY2304SXI-1 | CYPRESS | 26 | 15.288000 |
| DS3231MZ+TRL | MAXIM | 23 | 58.207756 |
| CY2308SXI-2 | CYPRESS | 20 | 43.276800 |
| DS12C887+ | MAXIM | 15 | 98.527616 |
| DS3231SN#T&R | MAXIM | 11 | 18.500520 |
| CY2308ZXC-1HT | CYPRESS | 10 | 10.976000 |
| CY2305SXI-1T | CYPRESS | 2 | 38.808000 |
