在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS1685S-3+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 30 | 中国内地:6-8周 |
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DS1685S-3+_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 30 | 中国内地:6-8周 |
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DS1685S-3 | MAXIM/美信 | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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规格参数 | |
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生命周期 | Obsolete |
外部数据总线宽度 | 8 |
最大时钟频率 | 32kHz |
计时器数量 | 1 |
表面贴装 | YES |
标称供电电压 | 3V |
uPs/uCs/外围集成电路类型 | TIMER,REALTIMECLOCK |
技术 | CMOS |
信息访问方法 | PARALLEL,MUXEDBUS |
电源 | 3V |
最大供电电压 | 3.7V |
最小供电电压 | 2.7V |
温度等级 | COMMERCIAL |
最短时间 | SECONDS |
易失性 | YES |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G24 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 70°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 245 |
端子数量 | 24 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP24,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子面层 | TINLEAD |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
座面最大高度 | 2.65mm |
宽度 | 7.5mm |
长度 | 15.4mm |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | 0.300INCH,SOP-24 |
针数 | 24 |
是否符合REACH标准 | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74AHCT541PW | NEXPERIA | 38035 | 0.925980 |
74HC14D | NEXPERIA | 36890 | 0.402210 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 23866 | 0.239120 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 22541 | 1.264125 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
74HC4050D | NEXPERIA | 1448 | 1.314520 |
74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |