在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1706EUA/T&R | MAXIM/美信 | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| DS1706EUA+ | MAXIM/美信 | DS1706 5.0 Volt Micromonitor | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| DS1706EUA+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 50 | 中国内地：6-8周 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| 封装类型 | UMAX-8 |
| Type | Monitor |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Storage Temperature Range | -55°C to +125°C |
| No of Outputs | Single |
| Output Current | 10mA |
| Output Type | Push Pull |
| Watchdog Timers | 1 |
| Supply Current-Max | 60µA |
| Threshold Voltage | 4.4V |
| No. of Monitors | 1 |
| Reset Timeout | 205ms |
| 供应商器件封装 | 8-uMAX |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 类型 | 简单复位/加电复位 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DS1706 |
| 复位 | 低有效 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 系列 | MicroMonitor™ |
| 受监控电压数 | 1 |
| 复位超时 | 最小为 130ms |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 输出 | 推挽式/图腾柱 |
| 电压 - 阈值 | 4.4V |
| 封装 | PDIP-8 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 阈值电压 | 5 V |
| 准确性 | 10 % |
| 类型 | Voltage Monitors |
| 被监测输入数 | 1 Input |
| 电池备用开关 | No Backup |
| 重置延迟时间 | 205 ms |
| 看门狗计时器 | Watchdog |
| 输出类型 | Active Low, Push-Pull |
| 人工复位 | No Manual Reset |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | Transferred |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.2V |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最大供电电流 (Isup) | 60µA |
| 信道数量 | 1 |
| 表面贴装 | YES |
| 可调阈值 | NO |
| 其他特性 | PUSHBUTTONRESETOPTION |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | POWERSUPPLYMANAGEMENTCIRCUIT |
| 功能数量 | 1 |
| 电源 | 1.5/5V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.19 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 650µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 3mm |
| 长度 | 3mm |
| 座面最大高度 | 1.1mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP,TSSOP8,.19 |
| 针数 | 8 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87293 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29251 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 25007 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.469500 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2556 | 0.619190 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1016 | 0.805090 |
| TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 520 | 0.692120 |
