在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS17885S-3+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 30 | 中国内地:6-8周 |
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DS17885S-3+_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 30 | 中国内地:6-8周 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 24-SOIC |
存储容量 | 8KB |
电压 - 电源,电池 | 2.5V ~ 3.7V |
接口 | 并联 |
封装/外壳 | 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
电流 - 计时(最大) | 2mA @ 2.7V ~ 3.7V |
类型 | 时钟/日历 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 在售 |
基本零件编号 | DS17885 |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
电压 - 电源 | 2.7V ~ 3.7V |
时间格式 | HH:MM:SS(12/24 小时) |
日期格式 | YY-MM-DD-dd |
特性 | 警报器,夏令时,闰年,NVSRAM,方波输出 |
在线目录 | Parallel Address |
安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 管件 |
生命周期 | Transferred |
外部数据总线宽度 | 8 |
最大时钟频率 | 32kHz |
计时器数量 | 1 |
表面贴装 | YES |
标称供电电压 | 3V |
uPs/uCs/外围集成电路类型 | TIMER,REALTIMECLOCK |
技术 | CMOS |
信息访问方法 | PARALLEL,MUXEDBUS |
中断能力 | Y |
电源 | 3V |
最大供电电压 | 3.7V |
最小供电电压 | 2.7V |
温度等级 | COMMERCIAL |
最短时间 | SECONDS |
易失性 | YES |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G24 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 70°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 24 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP24,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
座面最大高度 | 2.67mm |
宽度 | 7.5mm |
长度 | 17.9mm |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP,SOP24,.4 |
针数 | 24 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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DS1302Z+T&R | MAXIM | 287 | 12.073600 |
74HC4046AD,653 | NEXPERIA | 130 | 1.606872 |
DS1339U-33+T&R | MAXIM | 95 | 12.983040 |
CY2304SXI-1 | CYPRESS | 26 | 15.288000 |
DS3231MZ+TRL | MAXIM | 23 | 58.207756 |
CY2308SXI-2 | CYPRESS | 20 | 43.276800 |
DS12C887+ | MAXIM | 15 | 98.527616 |
DS3231SN#T&R | MAXIM | 11 | 18.500520 |
CY2308ZXC-1HT | CYPRESS | 10 | 10.976000 |
CY2305SXI-1T | CYPRESS | 2 | 38.808000 |