在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS1806S-010 | MAXIM/美信 | DS1806 Digital Sextet Potentiometer | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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电阻(欧姆) | 10k |
圆锥 | 线性 |
供应商器件封装 | 20-SOIC |
存储器类型 | 易失 |
接口 | 串行 |
封装/外壳 | 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
电阻 - 游标(欧姆)(典型值) | 400 |
温度系数(典型值) | 750ppm/°C |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
配置 | 电位计 |
基本零件编号 | DS1806 |
电路数 | 6 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
抽头数 | 64 |
电压 - 电源 | 2.7V ~ 5.5V |
容差 | ±20% |
特性 | 级联销 |
包装 | 管件 |
封装 | SOIC-20 |
工作电源电流 | 2 mA |
工作电源电压 | 3 V, 5 V |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
阻值 | 10 kOhms |
每 POT 分接头 | 64 |
锥度 | Linear |
弧刷存储器 | Volatile |
数字接口 | Serial (3-Wire) |
系列 | DS1806S |
安装风格 | PCB Mount |
端接类型 | SMD/SMT |
包装 | Tube |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74HCT4052PW,118 | NEXPERIA | 6272 | 1.160874 |
AS179-92LF | SKYWORKS | 3099 | 2.049180 |
74HCT4051PW,118 | NEXPERIA | 3060 | 1.398250 |
74LVC1G3157GV,125 | NEXPERIA | 1812 | 0.624750 |
SKY66112-11 | SKYWORKS | 879 | 14.406000 |
MCP4716A0T-E/CH | MICROCHIP | 93 | 18.204480 |
STMPS2141STR | STMICROELECTRONICS | 39 | 8.725920 |
MCP4822-E/SN | MICROCHIP | 20 | 34.073520 |
MCP4725A0T-E/CH | MICROCHIP | 1 | 8.643600 |
MAX5137GUE+ | MAXIM | 1 | 32.692800 |