在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1809Z-050+ | MAXIM/美信 | DS1809Z 050+ | 2 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
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| DS1809Z-050 | MAXIM/美信 | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| DS1809Z-050+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 1 | 中国内地：9-14工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 工作电源电流 | 1 mA |
| 工作电源电压 | 4.5 V, 5.5 V |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 温度系数(材质) | 750 PPM / C |
| 阻值 | 50 kOhms |
| 每 POT 分接头 | 64 |
| 锥度 | Linear |
| 弧刷存储器 | Non Volatile |
| 容差 | 10 % |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | Transferred |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 表面贴装 | YES |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | ANALOGCIRCUIT |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 4.9mm |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 包装说明 | SOP, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 针数 | 8 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HCT4052PW,118 | NEXPERIA | 6272 | 1.160874 |
| AS179-92LF | SKYWORKS | 3099 | 2.049180 |
| 74HCT4051PW,118 | NEXPERIA | 3060 | 1.398250 |
| 74LVC1G3157GV,125 | NEXPERIA | 1812 | 0.624750 |
| SKY66112-11 | SKYWORKS | 879 | 14.406000 |
| MCP4716A0T-E/CH | MICROCHIP | 93 | 18.204480 |
| STMPS2141STR | STMICROELECTRONICS | 39 | 8.725920 |
| MCP4822-E/SN | MICROCHIP | 20 | 34.073520 |
| MCP4725A0T-E/CH | MICROCHIP | 1 | 8.643600 |
| MAX5137GUE+ | MAXIM | 1 | 32.692800 |
