在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS1830AS+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 100 | 中国内地:3-5周 |
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DS1830AS+_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 100 | 中国内地:3-5周 |
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DS1830AS+ | MAXIM/美信 | 0 | 100 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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规格参数 | |
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安装方式 | Surface Mount |
封装类型 | SOIC-8 |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
类型 | 序列发生器 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | DS1830 |
复位 | 低有效 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
受监控电压数 | 1 |
复位超时 | 可调节/可选择 |
在线目录 | Sequencer |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 管件 |
输出 | 开路漏极或开路集电极 |
电压 - 阈值 | 3.3V |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87293 | 0.497250 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29251 | 0.324720 |
TL494G-S16-R | UTC | 25007 | 0.617320 |
TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.469500 |
TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2556 | 0.619190 |
TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1016 | 0.805090 |
TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 520 | 0.692120 |