在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 28-TQFN(5x5) |
封装/外壳 | 28-WFQFN 裸露焊盘 |
类型 | 激光二极管控制器(光纤) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | DS1864 |
通道数 | 1 |
电流 - 电源 | 3mA |
工作温度 | -40°C ~ 95°C |
电压 - 电源 | 2.97V ~ 5.5V |
在线目录 | Laser Driver |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 管件 |
工作电源电流 | 3 mA |
工作电源电压 | 2.9 V to 5.5 V |
最大工作温度 | + 95 C |
最小工作温度 | - 40 C |
系列 | DS1864T |
包装 | Bulk |
生命周期 | Transferred |
标称供电电压 | 3.3V |
接口集成电路类型 | INTERFACECIRCUIT |
功能数量 | 1 |
电源 | 3/5V |
最大供电电压 | 5.5V |
最小供电电压 | 2.97V |
表面贴装 | YES |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | S-XQCC-N28 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 95°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 28 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | HVQCCN |
封装等效代码 | LCC28,.2SQ,20 |
封装形状 | SQUARE |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | NOLEAD |
端子节距 | 500µm |
端子位置 | QUAD |
长度 | 5mm |
座面最大高度 | 800µm |
宽度 | 5mm |
零件包装代码 | QFN |
包装说明 | HVQCCN,LCC28,.2SQ,20 |
针数 | 28 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.31.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.101861 |
ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 4250 | 10.981201 |
BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 28.892710 |
ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.472641 |
ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 558 | 37.382660 |
IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.831168 |